[实用新型]一种霍尔元件有效
| 申请号： | 201620924021.7 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN206293470U | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;黄勇;颜建;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作过程中，P型砷化铟层是不参与导通的。从而，P型砷化铟层中的缺陷不会影响器件性能。而N型功能层直接生长在P型砷化铟层上，缺陷密度大幅减小，从而材料的迁移率大幅增加，进而使得霍尔元件灵敏度得到极大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霍尔 元件 | ||
【主权项】：
一种霍尔元件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层，以及形成所述N型砷化铟层上的电极；其中，所述P型砷化铟层的厚度为20nm～1000nm；所述N型砷化铟层厚度为100nm‑1000nm。
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