[实用新型]一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极有效

专利信息
申请号: 201620874672.X 申请日: 2016-08-11
公开(公告)号: CN205863019U 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: 申请(专利权)人:
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/26
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司11275 代理人: 廖曦
地址: 400714 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型涉及一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极,该电极包括泡沫镍基底和位于其上的多个硫化钴镍纳米片,所述硫化钴镍纳米片相互连接呈蜂窝状且每片硫化钴镍纳米片上分布着多个纳米级的孔洞,使该电极具有三维分级纳米结构。其中,纳米片相互连接呈蜂窝状,这种稳定的结构提高了电极的倍率性能和循环稳定性;纳米片上的多个纳米级空洞增加了电极可利用的活性表面,从而提高电极的能量密度,扩大电极中活性材料与电解质的作用速率。这种多层分级结构使该电极具有极高的比容量,良好的倍率性能和优异的循环稳定性。
搜索关键词: 一种 基于 硫化 三维 分级 纳米 结构 电容器 电极
【主权项】:
一种基于硫化镍钴三维分级纳米结构的赝电容器电极,其特征在于:所述电极包括泡沫镍基底(1)和位于所述泡沫镍基底(1)上的多个硫化钴镍纳米片(2),所述多个硫化钴镍纳米片相互连接呈蜂窝状且每片硫化钴镍纳米片上分布着多个纳米级的孔洞(3)。
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