[实用新型]适于量产的6吋GaNHEMT外延结构有效
| 申请号： | 201620870440.7 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN205881910U | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种适于量产的6吋GaN HEMT外延结构，其从下到上依次包括6吋SiC半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。通过上述方式，本实用新型能够有效将GaN外延材料的生长制备扩展到6吋SiC衬底上，有助于降低器件生产成本，推进GaN器件的应用推广。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 量产 ganhemt 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种适于量产的6吋GaN HEMT外延结构，其特征在于，从下到上依次包括6吋SiC半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
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