[实用新型]一种快速自驱动过压保护电路有效
| 申请号： | 201620717138.8 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN205945040U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 陈朝滨;唐琦;李金兰;何翔;张荣东 | 申请（专利权）人： | 成都四威功率电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙)51229 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 610091 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种快速自驱动过压保护电路，其包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；可控硅Q1的负极与电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与瞬变电压抑制二极管D1的正极连接；该快速自驱动过压保护电路在输出电压正常工作时，不进行工作，没有功率消耗，当检测到输出过压时，能够快速反应，保证输出电压被快速可靠的关断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 驱动 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种快速自驱动过压保护电路，其特征在于：包括电阻R1、瞬变电压抑制二极管D1、电容C1和可控硅Q1；所述可控硅Q1的负极与所述电容C1的一端和输出电压负端连接，可控硅Q1的正极与所述瞬变电压抑制二极管D1的负极和输出电压正端连接，可控硅Q1的控制极与所述电容C1的另一端和电阻R1的一端连接，所述电阻R1的另一端与所述瞬变电压抑制二极管D1的正极连接。
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