[实用新型]一种可编程控制熔断电路有效

专利信息
申请号: 201620624100.6 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN205883185U 公开(公告)日: 2017-01-11
发明(设计)人: 申请(专利权)人:
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 西安利泽明知识产权代理有限公司61222 代理人: 贾晓玲
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种可编程控制熔断电路,包括偏置电路、逻辑转换电路、译码电路和熔丝调整电路,其特征在于,所述偏置电路根据输入信号使能端口电压和双向端口电压的波形产生至少一个逻辑电压信号,其输出端与逻辑转换电路的输入端相连,采用复用端口;所述逻辑转换电路根据至少一个所述的逻辑电压信号产生一个预译码逻辑电压信号,其输出端与译码电路的输入端相连。本实用新型使用到了端口复用,减少了电路所占用面积,而且熔丝位的熔断是可编程的,可以在封装后根据给定不同的输入信号熔断目标熔丝位。
搜索关键词: 一种 可编程 控制 熔断 电路
【主权项】:
一种可编程控制熔断电路,包括偏置电路、逻辑转换电路、译码电路和熔丝调整电路,其特征在于,所述偏置电路包括:第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、基准电流源I、第一触发器SMT1、第二触发器SMT2、第三触发器SMT3、第一反向器INV1、第二反向器INV2、第三反向器INV3;基准电流源I的一端连接第一NMOS管MN1的漏极和栅极、第二NMOS管MN2的栅极、第三NMOS管MN3的栅极、第四NMOS管MN4的栅极和第五NMOS管MN5的栅极,另一端连接第一PMOS管MP1的栅极、第二PMOS管MP2的源级和第五PMOS管MP5的源级;第一NMOS管MN1的源端连接第二NMOS管MN2的源级、第三NMOS管MN3的源级、第四NMOS管MN4的源级、第五NMOS管MN5的源级和地GND;第一PMOS管MP1的源级连接输入端VOUT,第一PMOS管MP1的漏极连接第一触发器SMT1的输入端和第二NMOS管MN2的漏端;第二PMOS管MP2的栅极连接第二PMOS管MP2的漏极和第三PMOS管MP3的源级;第三PMOS管MP3的栅极连接第 三PMOS管MP3的漏极、第四PMOS管MP4的栅极和第三NMOS管MN3的漏极;第四PMOS管MP4的源级连接输入端EN和第五PMOS管MP5的源级,第四PMOS管MP4的漏级连接第二触发器SMT2的输入端和第四NMOS管MN4的漏极;第五PMOS管MP5的漏极连接第三触发器SMT3的输入端和第五NMOS管MN5的漏极;第一触发器SMT1的输出端连接第一反相器INV1的输入端;第二触发器SMT2的输出端连接第二反相器INV2的输入端;第三触发器SMT3的输出端连接第三反相器INV3的输入端;第一反相器INV1的输出端连接输出端V1;第二反相器INV2的输出端连接输出端V2;第三反相器SMT3的输出端连接输出端V3;所述VOUT在电路中是复用端口。
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