[实用新型]蚀刻机的抗PID衰减装置有效
| 申请号： | 201620544826.9 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN205863146U | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 申请（专利权）人： | ||
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 江阴大田知识产权代理事务所(普通合伙)32247 | 代理人： | 刘宏亮 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种蚀刻机的抗PID衰减装置，包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于蚀刻机出口处的硅片输送架的上方设置有罩壳，罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，罩壳的开口朝下且正对硅片输送架上的太阳能硅片，罩壳内设置有一层均流网，均流网上密布有若干均流孔，臭氧与硅片表面的硅原子进行反应生成1‑2nm的SiO2，这样表面的悬挂健可以完全的被钝化。在组件实际使用过程中能有效阻止有害杂质Na+离子的移动，从而杜绝组件PID现象的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 pid 衰减 装置 | ||
【主权项】：
一种蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过所述蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于所述蚀刻机出口处的所述硅片输送架的上方设置有罩壳，所述罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，所述罩壳的开口朝下且正对所述硅片输送架上的太阳能硅片，所述罩壳内设置有一层均流网，所述均流网上密布有若干均流孔。
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