[实用新型]平面振膜单体的改良结构有效
申请号: | 201620514957.2 | 申请日: | 2016-05-31 |
公开(公告)号: | CN205793257U | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 邓克忠 | 申请(专利权)人: | 邓克忠 |
主分类号: | H04R7/04 | 分类号: | H04R7/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型提供一种平面振膜单体的改良结构,包括:一薄膜层、一第一线圈、一第二线圈、一第三线圈以及一第四线圈。所述的第一线圈是设置在薄膜层的第一面上的第一侧。所述的第二线圈是设置在薄膜层的第二面上的第一侧,并且与第一线圈电性连接。所述的第三线圈是设置在薄膜层的第一面上的第二侧,并且与第二线圈电性连接。所述的第四线圈是设置在薄膜层的第二面上的第二侧,并且与第三线圈电性连接。其中,第一线圈与第三线圈是被配置为在与中心线距离相同处的电流方向相同,且该第二线圈与该第四线圈是被配置为在与该中心线距离相同处的电流方向相同。 | ||
搜索关键词: | 平面 单体 改良 结构 | ||
【主权项】:
一种平面振膜单体的改良结构,其特征在于,包括:一薄膜层,具有一第一面以及一第二面,且该薄膜层以其一中心线为基准具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧;一第一线圈,设置在该薄膜层的该第一面上的该第一侧,且该第一线圈具有一第一接触点;一第二线圈,设置在该薄膜层的该第二面上的该第一侧,且该第二线圈是透过一第一连接点与该第一线圈电性连接;一第三线圈,设置在该薄膜层的该第一面上的该第二侧,且该第三线圈是透过一第二连接点与该第二线圈电性连接;以及一第四线圈,设置在该薄膜层的该第二面上的该第二侧,该第四线圈是透过一第三连接点与该第三线圈电性连接,且该第四线圈具有一第二接触点;其中,该第一线圈与该第三线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同,且该第二线圈与该第四线圈是被配置为两者在与该中心线距离相同处的电流方向相同。
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