[实用新型]成像系统有效

专利信息
申请号: 201620411346.5 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN205987132U 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: J·希内塞克 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H04N5/335 分类号: H04N5/335;H04N5/369;H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 秦晨
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型涉及成像系统。在实施例中可以设置有形成于具有正面和背面的基板上的图像传感器像素阵列。每个像素都可以具有用于接收穿过背面的光的光电二极管、浮置扩散节点、电荷转移栅极,以及第一及第二复位晶体管栅极。源极跟随器晶体管可以具有与浮置扩散节点耦接的栅极以及与寻址晶体管耦接的源极。像素可以通过寻址晶体管和列反馈复位通路耦接至列反馈放大器。放大器可以给复位晶体管提供kTC复位噪声补偿电压,用于存储于耦接于浮置扩散与源极跟随器的漏极端子之间的保持电容器上。浮置扩散可以通过转移栅极、复位栅极和p型掺杂区界定于正面处。
搜索关键词: 成像 系统
【主权项】:
一种成像系统,其特征在于包括:浮置扩散节点,接收响应于光而产生的电荷;源极跟随器,具有耦接于所述浮置扩散节点的栅极端子;放大器,具有输入和输出,其中所述放大器被配置为在所述输出处产生噪声补偿信号;寻址晶体管,耦接于所述源极跟随器与所述放大器的所述输入之间;第一晶体管;导电路径,耦接于所述放大器的所述输出与所述第一晶体管之间并且输送所述噪声补偿信号;第一电容器,耦接于所述第一晶体管与所述浮置扩散节点之间;以及第二晶体管,耦接于所述浮置扩散节点,其中所述第二晶体管被配置为当所述第一晶体管导通时以所述噪声补偿信号驱动所述浮置扩散节点。
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