[实用新型]基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器有效
申请号: | 201620400766.3 | 申请日: | 2016-05-05 |
公开(公告)号: | CN205608579U | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 乐忠明 | 申请(专利权)人: | 上海铄梵电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/565 | 分类号: | G05F1/565 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201611 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器,应用于电源系统中。本实用新型包括:预稳压器,根据输入电压,产生稳定电压,为带隙放大器供电;带隙放大器,根据反馈信号,输出驱动信号;驱动器,当接收到驱动信号,根据输入电压,产生输出电压;反馈单元,根据输出电压,输出反馈信号;驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管;N个PMOS晶体管依次串联连接,带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制,将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端,每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏,N为大于1的正整数。本实用新型将7805等专用线性稳压芯片的功能在标准CMOS上实现,降低整机成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 标准 cmos 工艺 高压 线性 稳压器 | ||
【主权项】:
一种基于标准CMOS工艺的耐高压线性稳压器,包括:预稳压器,根据输入电压,产生稳定电压,为带隙放大器供电;带隙放大器,根据反馈信号,输出驱动信号;驱动器,当接收到所述驱动信号,根据输入电压,产生输出电压;反馈单元,根据所述输出电压,输出所述反馈信号;其特征在于,所述驱动器包括N个标准CMOS工艺中的PMOS晶体管;N个PMOS晶体管依次串联连接,带隙放大器对各个PMOS晶体管的栅极电压进行驱动控制,将输入电压均匀地分布到N个PMOS晶体管的源漏两端,每个PMOS晶体管所需承担的电压不至于让其损坏,N为大于1的正整数。
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