[实用新型]一种电流复用型射频放大器有效
| 申请号： | 201620399372.0 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN205566227U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈本彬;曾世超;孙铃武;李文惠;林和瑞;杨凯 | 申请（专利权）人： | 厦门致联科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种电流复用型射频放大器，其包括输入匹配电路和反相器电路，其中，输入匹配电路包括第一NMOS管NM1、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、电感L2以及电容C1，反相器电路包括第二NMOS管NM2和PMOS管PM1；射频输入端RFIN串接电容C1后与第一NMOS管NM1的源极、第三NMOS管NM3的源极、以及第四NMOS管NM4的源极连接，电感L2的一端接于第一NMOS管NM1的源极，电感L2的另一端接地；第二NMOS管NM2的源极和第一NMOS管NM1的漏极、第三NMOS管NM3的漏极、以及第四NMOS管NM4的漏极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 复用型 射频放大器 | ||
【主权项】：
一种电流复用型射频放大器，其特征在于：包括输入匹配电路和反相器电路；其中，输入匹配电路包括第一NMOS管NM1、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4、电感L2以及电容C1，反相器电路包括第二NMOS管NM2和PMOS管PM1；其中，第一NMOS管NM1的栅极作为偏置端VB1，第三NMOS管NM3的栅极作为偏置端VB2，第四NMOS管NM4的栅极作为偏置端VB3；电容C1为输入隔直电容，射频输入端RFIN串接电容C1后与第一NMOS管NM1的源极、第三NMOS管NM3的源极、以及第四NMOS管NM4的源极连接，电感L2为源极负反馈电感，电感L2的一端接于第一NMOS管NM1的源极，电感L2的另一端接地；第二NMOS管NM2的源极和第一NMOS管NM1的漏极、第三NMOS管NM3的漏极、以及第四NMOS管NM4的漏极连接，第二NMOS管NM2的栅极连接至PMOS管PM1的栅极，第二NMOS管NM2的漏极连接至PMOS管PM1的漏极，PMOS管PM1的源极连接至电源电压RFVDD；所述反相器电路还包括用于通直流隔交流的电感L1，电感L1串接在输入匹配电路和反相器电路之间，具体的，电感L1的一端连接第二NMOS管NM2的源极，电感L1的另一端连接第一NMOS管NM1的漏极。
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