[实用新型]一种用于温控电路的智能开关MOS管有效

专利信息
申请号: 201620363158.X 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN205721431U 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 王兴 申请(专利权)人: 王兴
主分类号: G05D23/24 分类号: G05D23/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518034 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种用于温控电路的智能开关MOS管,包括底部壳体、上部端盖、热敏电阻、栅极接线柱,底部壳体上方安装有上部端盖,上部端盖的外表面安装有热敏电阻,底部壳体上表面中央设置有P型硅衬底,P型硅衬底外部连接到接地螺栓,P型硅衬底内部设置有漏极N型掺杂区和源极N型掺杂区,P型硅衬底上方设置有绝缘层,绝缘层上方设置有栅极金属层,栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区外部都连接有金属引脚,栅极金属层的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线,引脚外接导线的另一端连接在热敏电阻上,热敏电阻内部伸出栅极接线柱。有益效果在于:能够通过环境温度的变化自动控制开关电压,继而实现自动控制负载电路。
搜索关键词: 一种 用于 温控 电路 智能 开关 mos
【主权项】:
一种用于温控电路的智能开关MOS管,其特征在于:包括底部壳体、上部端盖、热敏电阻、栅极接线柱,底部壳体上方安装有上部端盖,上部端盖的外表面安装有热敏电阻,底部壳体上表面中央设置有P型硅衬底,P型硅衬底外部连接到接地螺栓,P型硅衬底内部设置有漏极N型掺杂区和源极N型掺杂区,P型硅衬底上方设置有绝缘层,绝缘层上方设置有栅极金属层,栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区外部都连接有金属引脚,栅极金属层的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线,引脚外接导线的另一端连接在热敏电阻上,热敏电阻内部伸出栅极接线柱。
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