[实用新型]衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统有效
| 申请号： | 201620203591.7 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN205544931U | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 秦琳;陈杉 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07;H02M1/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统，其中，衬底偏置电路包括比较电路和第二稳压电容，所述比较电路用于比较第一充电电压和第二充电电压并输出较低的电压。通过比较电路选择第一充电电压和第二充电电压中较低的电压作为第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的衬底偏置电压，改善了第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的衬偏效应，从而减小了第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的阈值电压，提高了充电相位中第一充电电容和第二充电电容两端的最高电压，使得第三MOS晶体管和第四MOS晶体管的反向电流减小，从而实现降低输出纹波电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 偏置 电路 倍压器 以及 包含 述倍压器 系统 | ||
【主权项】：
一种衬底偏置电路，其特征在于，包括比较电路和第二稳压电容，所述比较电路的一个输入端连接于一第一充电电压，另一个输入端连接于一第二充电电压，输出端连接于所述第二稳压电容的一端，所述第二稳压电容的另一端接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于豪威科技（上海）有限公司，未经豪威科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620203591.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种金属硅还原剂的制备方法
- 下一篇：制备电石的方法
