[实用新型]一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片有效

专利信息
申请号: 201620197205.8 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN205407995U 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 张新宇;魏东;信钊炜;彭莎;张波;吴勇;袁莹;王海卫;谢长生 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H04N5/225 分类号: H04N5/225;H04N5/232
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 廖盈春
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片。包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器;在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值高于某一阈值时,电控液晶微光学结构等效为面阵电控液晶微透镜,双模成像探测芯片呈现三维光场成像模式,在电控液晶微光学结构上加载的信号电压的均方幅值低于所述阈值或不加载信号电压时,电控液晶微光学结构等效为对入射光波具有延迟作用的液晶相移板,双模成像探测芯片被调变或切换为具有高空间分辨率的常规平面成像模式。本实用新型具有成像模式切换灵活,调光响应快,以及目标的高空间分辨率平面图像与其局域三维形态/姿态特征兼容获取的特点。
搜索关键词: 一种 平面 三维 双模 成像 探测 芯片
【主权项】:
一种电调平面与三维光场双模成像探测芯片,其特征在于,包括电控液晶微光学结构和面阵光敏探测器;所述电控液晶微光学结构包括液晶材料层,依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始定向层、图形化电极层、第一基片和保护增透膜,以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始定向层、公共电极层和第二基片;所述液晶材料层为微米级厚度,所述第一液晶初始定向层和所述第二液晶初始定向层为纳米级厚度,所述公共电极层由导电透光膜构成,所述图形化电极层由其上布有m×n元阵列分布的电极微孔的导电透光膜构成,其中,m、n均为大于1的整数。
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