[实用新型]厚膜片式熔断器改进结构有效
| 申请号： | 201620168824.4 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN205406454U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李厚忠;谢强;韩玉成;龚漫莉 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/046 | 分类号： | H01H85/046 |
| 代理公司： | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人： | 杨云 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种厚膜片式熔断器改进结构，属于电路保护元件；旨在提供一种不仅能快速淬灭电弧，而且熔断后无金属蒸气冷却沉积在熔丝中间的厚膜片式熔断器。它包括固定在陶瓷基片表面的功能层；在功能层（4）的周围有固定在陶瓷基片（5）上的阻挡层（3），在该阻挡层所包围的区域内填充有将阻挡层（3）覆盖的抑弧层（2），陶瓷基片（5）的表面固定有将抑弧层（2）和阻挡层（3）覆盖的玻璃包封层（1）。本实用新型既可有效避免金属蒸气冷却后沉积在熔丝中间而反复接通、又能通过阻挡层保护抑弧层不受酸碱的腐蚀及脱落，进一步提高了产品的可靠性；是一种厚膜片式熔断器的改进。 | ||
| 搜索关键词： | 膜片 熔断器 改进 结构 | ||
【主权项】：
一种厚膜片式熔断器改进结构，包括固定在陶瓷基片表面的功能层；其特征在于：在功能层（4）的周围有固定在陶瓷基片（5）上的阻挡层（3），在该阻挡层所包围的区域内填充有将阻挡层（3）覆盖的抑弧层（2），陶瓷基片（5）的表面固定有将抑弧层（2）和阻挡层（3）覆盖的玻璃包封层（1）。
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