[发明专利]一种制造反物质的方法在审
| 申请号： | 201611271356.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106531279A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 邵晓怡 | 申请（专利权）人： | 邵晓怡 |
| 主分类号： | G21G1/12 | 分类号： | G21G1/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318050 浙江省台州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种制造反物质的方法，让中子源产生的中子，在高压负电极产生的负电性环境中衰变，中子所包含的正电子在负电性环境中，在静电力作用下被吸出，使中子产生正β衰变，转变为反质子和正电子，反质子和正电子进一步融合成反氢原子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 反物质 方法 | ||
【主权项】：
一种制造反物质的方法：让中子源产生的中子，在高压负电极产生的负电性环境中衰变，中子所包含的正电子在负电性环境中，在库伦力作用下被吸出，使中子产生正β衰变，中子转变为反质子和正电子。
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