[发明专利]电平转换电路在审
| 申请号： | 201611265829.X | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106685391A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 唐立伟;任军 | 申请（专利权）人： | 合肥恒烁半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电平转换电路，其包括压NMOS晶体管等，低压NMOS晶体管的栅极接低的电源电压，第一高压NMOS晶体管的栅极和低压NMOS晶体管的源极连接，第一高压PMOS晶体管的漏极、第二高压PMOS晶体管的栅极都与低压NMOS晶体管的漏极连接，第一高压NMOS管的源极、第二高压NMOS管的源极都接地。本发明的电路简单，所需晶体管数目较少，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种电平转换电路，其特征在于，其包括低压NMOS晶体管、第一高压PMOS晶体管、第二高压PMOS晶体管、第三高压PMOS晶体管、第一高压NMOS管、第二高压NMOS管，低压NMOS晶体管的栅极接低的电源电压，第一高压NMOS晶体管的栅极和低压NMOS晶体管的源极连接，第一高压PMOS晶体管的漏极、第二高压PMOS晶体管的栅极都与低压NMOS晶体管的漏极连接，第一高压NMOS管的源极、第二高压NMOS管的源极都接地，第一高压PMOS晶体管的栅极、第二高压PMOS晶体管的漏极、第三高压PMOS晶体管的栅极、第二高压NMOS管的栅极都与第一高压NMOS管的漏极连接，第一高压PMOS晶体管的源极、第二高压PMOS晶体管的源极都与第三高压PMOS晶体管源极连接并连接至较高的电源。
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