[发明专利]一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器

摘要

本发明公开了一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器，属于激光器制备技术领域。该激光器为一种利用具有DBR结构的垂直腔面发射激光器的外延结构从下向上的顺序依次包括衬底、N型掺杂层、N型DBR层、多量子阱层、P型DBR层、光刻胶、Al2O3薄膜层、P型DBR层、P型掺杂GaAs层。本发明中利用侧向外延技术将氧化后应力变得很脆弱的高Al组分AlGaAs外延层换成Al2O3薄膜层，使得此Al2O3层及其上的外延层中变得坚固，不会随着很小的震动或者外力就破裂，从而导致器件失效，另外不会产生As及As2O3等剧毒物质，有利于环境保护。

主权项

一种基于二次外延技术的非选择氧化垂直腔面发射激光器，其特征在于：该激光器的外延结构从下向上的顺序依次包括：衬底(1)、N型掺杂层(2)、N型DBR层(3)、多量子阱层(4)、P型DBR层(5)、光刻胶(6)、Al2O3薄膜层(7)、P型DBR层(8)、P型掺杂GaAs层(9)；Al2O3薄膜层(7)利用PECVD等离子体增强化学气相沉积法生长，然后利用光刻及刻蚀技术将Al2O3薄膜层(7)刻蚀成周向保留中间刻蚀掉的图形，然后利用MOCVD从Al2O3薄膜层(7)的中间位生长P型DBR层(8)，直到P型DBR层(8)盖过Al2O3薄膜层(7)，然后在P型DBR层(8)上生长一层P型掺杂GaAs层(9)。