[发明专利]磁性隧道结读取电路、MRAM芯片及读取方法有效
| 申请号： | 201611237579.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257634B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 俞华樑;戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性隧道结读取电路，磁性隧道结读取电路包括信号感测电路与比较电路，信号感测电路用于采用交叉分步叠加输出第一电位与第二电位，比较电路用于比较第一电位与第二电位，比较电路的一个输入端设置有分压电路。本发明还提供一种MRAM芯片及磁性隧道结读取方法。本发明提供的磁性隧道结读取电路、MRAM芯片及磁性隧道结读取方法，通过设置分压电路，调整了高阻态参照电阻与低阻态参照电阻的权重，从而使参照电阻处于最佳参照值，减小发生读取错误的可能性；采用交叉分步叠加获取信号，使得信号在进入比较电路前使用分压电路调整权重成为可能，且增强了磁性随机存储器数据读取信号强度，减小发生读取错误的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 读取 电路 mram 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性隧道结读取电路，其特征在于，所述磁性隧道结读取电路包括信号感测电路与比较电路，所述信号感测电路用于采用交叉分步叠加输出第一电位与第二电位，所述比较电路用于比较所述第一电位与所述第二电位，所述比较电路的一个输入端设置有分压电路。
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