[发明专利]高温量子阱超晶格厚膜热电材料及其生产方法在审
| 申请号： | 201611237321.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784287A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张洪国;马军涛;张凯;张坤 | 申请（专利权）人： | 滁州玛特智能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/22;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京申云知识产权代理事务所(普通合伙)32274 | 代理人： | 洪洋 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温量子阱厚膜超晶格热电材料的生产方法，包括以下步骤通过原子层沉积的方法，在多孔硅，多孔氧化铝或掺杂的硅基板上生长热电材料。热电材料可以从孔的内壁开始生长，然后向孔的中心径向逐层生长，从而生成厚膜超晶格热电材料。基础热电材料为SiGe。本发明利用原子层沉积技术，以多孔模板为基体，经由化学的方法快速合成适于高温应用的超晶格热电材料，从而实现高优值，高热电转换效率。高温热电材料可以在掺杂的或可弯曲的导电基板上，并在非高真空的条件下快速生产，且具有设定的厚度和量子阱超晶格结构，尤其适用于高温，即使用温度范围700‑1100度。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 量子 晶格 热电 材料 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
超晶格热电材料的生产方法，其特征在于包括以下步骤：通过原子层沉积的方法，在各种基板上生长高温热电材料，对于多孔基板，所述热电材料从孔的内壁开始生长，然后沿孔径向方向逐层生长，直到孔长满为止，形成具有量子阱超晶格结构的厚膜热电材料；所述热电材料为SiGe。
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