[发明专利]一种双声表面波应变传感器及其设计方法在审
| 申请号： | 201611233408.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106840056A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 彭斌;邓泽佳;张万里;李凌;崔亦霖;弓冬冬;周伟;谢小伟;喻恒 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01B17/04 | 分类号： | G01B17/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种基于硅酸镓镧的双声表面波应变传感器及其设计方法。本发明通过在同一块LGS基片上关于欧拉角为(0°,138.5°,90°)对称的两个切向上分别制作一个声表面波谐振器，利用两个谐振器温度频率特性相同的特点，从而制成双SAW应变传感器，旨在消除SAW应变传感器在应变测试的过程中温度对于它的影响。本发明所设计的双SAW应变传感器能将应变从温度的影响中分离出来,极大地减小了温度对于应变测试所造成的影响，可以在任何基片能承受的温度范围内，实现对应变的准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双声 表面波 应变 传感器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种双声表面波应变传感器，包括第一SAW谐振器、第二SAW谐振器和一块硅酸镓镧LGS压电基片,其特征在于：第一、第二SAW谐振器互为2X°夹角制作在LGS压电基片上，并以并联的方式进行电路连接，其中80<X<90或0<X<10。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611233408.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
