[发明专利]一种长波长垂直腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 201611232774.2 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106856296B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 刘丽杰;王玥;吴远大;安俊明;胡雄伟 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器,包括衬底,衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔,p面电极蒸镀于p型空间层上,并包围出光孔,n型DBR中间设有电流限制层,电流限制层上形成有圆形电流限制孔,衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构,其直径大于所述出光孔的直径,小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻,增加注入载流子的效率,实现器件的高速特性的改进。
搜索关键词: 一种 波长 垂直 发射 激光器
【主权项】:
1.一种长波长垂直腔面发射激光器,该长波长垂直腔面发射激光器由下至上依次包括衬底(8)、n型DBR(6)、n型空间层(5)、有源区(4)、p型空间层(3)、出光孔(9)和p面电极(2),其中p面电极(2)蒸镀于p型空间层(3)上,并包围出光孔(9),n型DBR(6)中间设有电流限制层(10),电流限制层(10)上形成有圆形电流限制孔(11),其特征在于,所述衬底(8)和n型DBR(6)为等直径的圆台型结构,其直径大于所述出光孔(9)的直径,小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸;n面电极(7),其蒸镀于所述衬底(8)和n型DBR(6)形成的等直径的圆台型结构的底面和侧面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611232774.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top