[发明专利]一种长波长垂直腔面发射激光器有效
申请号: | 201611232774.2 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106856296B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 刘丽杰;王玥;吴远大;安俊明;胡雄伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/183 | 分类号: | H01S5/183;H01S5/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器,包括衬底,衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔,p面电极蒸镀于p型空间层上,并包围出光孔,n型DBR中间设有电流限制层,电流限制层上形成有圆形电流限制孔,衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构,其直径大于所述出光孔的直径,小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻,增加注入载流子的效率,实现器件的高速特性的改进。 | ||
搜索关键词: | 一种 波长 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】:
1.一种长波长垂直腔面发射激光器,该长波长垂直腔面发射激光器由下至上依次包括衬底(8)、n型DBR(6)、n型空间层(5)、有源区(4)、p型空间层(3)、出光孔(9)和p面电极(2),其中p面电极(2)蒸镀于p型空间层(3)上,并包围出光孔(9),n型DBR(6)中间设有电流限制层(10),电流限制层(10)上形成有圆形电流限制孔(11),其特征在于,所述衬底(8)和n型DBR(6)为等直径的圆台型结构,其直径大于所述出光孔(9)的直径,小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸;n面电极(7),其蒸镀于所述衬底(8)和n型DBR(6)形成的等直径的圆台型结构的底面和侧面。
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