[发明专利]基于忆阻器的反相运算电路在审
| 申请号： | 201611221740.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106775574A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王春梅 | 申请（专利权）人： | 滨州学院 |
| 主分类号： | G06F7/50 | 分类号： | G06F7/50;G06F7/556;G06F7/544 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 256603 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于忆阻器的反相运算电路，该电路由二极管1N4148、电容和电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC震荡电路。提出了以一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路为基础，实现模拟电路中的反相、加法、积分、微分、指数和对数运算，为应用非常广泛的正弦波RC振荡电路，具有振荡较稳定、波形良好、振荡频率在较宽的范围内能方便地连续调节等优点的文氏桥振荡器提供了一种平台。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 忆阻器 运算 电路 | ||
【主权项】：
基于忆阻器的反相运算电路，其特征在于：所述忆阻器由二极管(1N4148)、电容和电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC震荡电路；所述二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设定忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C0两端电压为V0，其数学模型为：dV0dt=2Ise-ρV0cosh(ρVm)C0-V0R0C0-2IsC0]]>其中，ρ＝1/(2nVT)；Is，n和VT分别表示二极管反向饱和电流、发射系数和热电压，由此，可以推导出忆阻器的忆导表达式为Gm=2Ise-ρV0sinh(ρVm)Vm]]>基于忆阻器的反相运算电路由电阻，忆阻器和运算放大器(LF347BN)组成，所述运算放大器LF347BN(U1)的负输入端通过电阻Ril接反相电路的输入，通过忆阻器Rm接运算放大器(LF347BN(U1)的输出端，运算放大器LF347BN(U1)的正输入端接地，运算放大器LF347BN(U1)的正电源端接VCC，运算放大器LF347BN(U1)的负电源端接VEE；根据反相电路得出以下关系式：设电阻Ri1上的电流为IRi1，忆阻器Rm上的电流为IRm1，电压为Vm1，根据虚短和虚断原则得出：IRi1＝IRm1 Uo1＝Vm1Ui1=-Ri1·Gm·Uo1=-Ri1·2Ise-ρv0sinh(ρU01).]]>
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滨州学院，未经滨州学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611221740.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
