[发明专利]一种低热导率、高ZT值热电材料在审
| 申请号： | 201611197368.7 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106784280A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 邓乐;秦杰明;万玉春 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙)11457 | 代理人： | 黄云铎 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低热导率、高ZT值方钴矿热电材料。本发明的热电材料具有明显低于现有方钴矿热电材料的热导率和高于现有方钴矿材料的ZT值。本发明的方钴矿热电材料由填充材料M、置换材料N、Co和Sb通过高压合成而制成，该热电材料的分子式为MyCo4Sb12‑xNx，其中x和y的数值范围在0.1‑2之间。本发明热电材料的合成方法极为简单，并适用于工业化生产。所得产物机械性能好，热导率远低于其他方法所合成的填充型或置换型CoSb3热电材料，且具有高的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低热 zt 热电 材料 | ||
【主权项】：
一种低热导率、高ZT值方钴矿热电材料，其特征在于，所述方钴矿热电材料由填充材料M、置换材料N、Co和Sb通过高压合成而制成，所述热电材料的分子式为MyCo4Sb12‑xNx，其中x和y的数值范围在0‑2之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春理工大学，未经长春理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611197368.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种掺杂钛酸锶氧化物热电薄膜的制备方法
- 下一篇：一种薄膜热电模块
