[发明专利]一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列在审
申请号: | 201611184920.9 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN106772797A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 刘凯;任晓敏;黄永清;王琦;段晓峰 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 王庆龙 |
地址: | 100876*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种单片集成收发一体光电芯片及集成芯片阵列,所述光电芯片包括衬底、光吸收单元和光发射单元;所述光发射单元的光激射波长为光电芯片的发射光谱区,所述光吸收单元吸收波长为光电芯片的吸收光谱区,所述吸收光谱区和所述发射光谱区不重叠;所述光吸收单元包括依次层叠于衬底上的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层,所述第三半导体材料上设有绝缘层,所述光吸收单元和光发射单元通过绝缘层电隔离;光发射单元包括第一反射镜、光学腔和第二反射镜,所述光学腔位于第一反射镜上,所述第二反射镜位于光学腔上。只应用一个光学腔,同时起到光发射上的谐振增强与光吸收上的高透滤波功能,实现光信号的发射与接收。 | ||
搜索关键词: | 一种 单片 集成 收发 一体 光电 芯片 阵列 | ||
【主权项】:
一种单片集成收发一体光电芯片,其特征在于,包括衬底、光吸收单元和光发射单元;所述光发射单元的光激射波长构成光电芯片的发射光谱区,所述光吸收单元吸收波长构成光电芯片的吸收光谱区,所述吸收光谱区和所述发射光谱区不重叠;所述光吸收单元包括依次层叠于衬底上的第一半导体材料层、第二半导体材料层和第三半导体材料层;所述光发射单元包括第一反射镜、光学腔和第二反射镜,所述光学腔位于第一反射镜上,所述第二反射镜位于光学腔上;所述光吸收单元和光发射单元纵向垂直集成为一体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京邮电大学,未经北京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611184920.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。