[发明专利]重掺硅单晶直拉生长温度信号的保障方法在审

专利信息
申请号: 201611125257.5 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN108166054A 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 方峰;王学锋;郑沉;邓德辉 申请(专利权)人: 有研半导体材料有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘秀青;熊国裕
地址: 101300 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种重掺硅单晶直拉生长温度信号的保障方法,在温度测量孔内衬砌一光亮的薄钼管。所述钼管的一端嵌入热场的固化保温桶外壁,并延伸至固化保温桶的取光孔,与温度传感器在同一直线上。本发明的方法能够改善拉晶条件,为单晶生长提供稳定的环境;对增加成晶率、分析生长程序等提供较大益处,更能减少工艺异常情况的出现,避免一些操作失误对生产造成意外损失。 1
搜索关键词: 固化保温 温度信号 硅单晶 直拉 钼管 生长 温度测量孔 温度传感器 操作失误 单晶生长 同一直线 桶外壁 光孔 拉晶 内衬 热场 嵌入 延伸 分析 生产
【主权项】:
1.一种重掺硅单晶直拉生长温度信号的保障方法,其特征在于,在温度测量孔内衬砌一光亮的薄钼管。

2.根据权利要求1所述的重掺硅单晶直拉生长温度信号的保障方法,其特征在于,所述钼管的一端嵌入热场的固化保温桶外壁,并延伸至固化保温桶的取光孔,与温度传感器在同一直线上。

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