[发明专利]高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率的铁钴基非晶合金材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611092517.3 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN108130493A 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 王芳;井上明久;朱胜利;杨贤金;崔振铎 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C22C45/02 分类号: C22C45/02;C21D1/30;C21D1/74;H01F1/153
代理公司: 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 代理人: 王秀奎
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率的铁钴基非晶合金材料及其制备方法,其成分具有如下表达式(Fe1‑zCoz)xMoySiaBb,式中x、y、z、a、b分别表示各对应组分的原子百分比含量,其中z大于0且小于等于0.5;x=82—85;y=0—3;a=1—5;b=11—17,且a+b+y=15—18;a+b+x+y=100。该合金在不添加P元素的情况下仍能保持相当高的非晶形成能力。该合金具有高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率等优越的软磁性能,以及优良的机械性能、机加工性、耐蚀性和较低的成本,并能适用于大规模产品的生产流程。
搜索关键词: 高饱和磁感应 高磁导率 矫顽力 合金材料 基非 铁钴 制备 合金 机械性能 非晶形成能力 原子百分比 机加工性 软磁性能 生产流程 耐蚀性 式中
【主权项】:
高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率的铁钴基非晶合金材料,其特征在于:其成分具有如下表达式(Fe1‑zCoz)xMoySiaBb,式中x、y、z、a、b分别表示各对应组分的原子百分比含量,其中z大于0且小于等于0.5;x=82—85;y=0—3;a=1—5;b=11—17,且a+b+y=15—18;a+b+x+y=100;在磁场条件下进行退火,退火后保持弯折韧性,退火后合金饱和磁感应强度(Bs)不低于1.78T,最高到达1.88T;矫顽力在8A/m以下,初始磁导率在15000以上。
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