[发明专利]基于垂直安装平面基板方式的宽带巴特勒矩阵及设计方法

摘要

本发明提供一种基于垂直安装平面基板方式的宽带巴特勒矩阵及设计方法，该矩阵通过调整耦合器、交叉跨线、微带移相器，设计过程简单；结构简单、性能优越；使用垂直安装平面基板方式的结构，具备独特宽带工作特性，占据极小的电路空间，低成本。

主权项

一种基于垂直安装平面基板方式的宽带巴特勒矩阵，其特征在于，该矩阵的水平基板包括从上至下依次排布的三层结构：第一层为微带单元(101)，第二层为水平基板(102)，第三层为金属地层(103)；其中，第一层微带单元(101)上设置有微带移相器与若干端口线；该矩阵的垂直面包括宽带正交耦合器(200)与交叉跨线(300)，宽带正交耦合器(200)采用基于垂直安装平面基板方式，包括从左到右三层结构：第一层为第一微带介质耦合单元(104)，第二层为第一基板(105)，第三层为第二微带介质耦合单元(106)，交叉跨线结构(300)采用基于垂直安装平面基板方式，包括从左到右三层结构：第一层为第三微带介质耦合单元(107)，第二层为第二基板(108)，第三层为第四微带介质耦合单元(109)；其中，第一微带介质耦合单元(104)上设置有第一微带缝隙(201)，第一微带缝隙(201)将第一微带介质耦合单元(104)均分成两部分，在第一微带介质耦合单元(104)的中心线上设置有两个并列的第一金属化过孔(202)，两个第一金属化过孔(202)相对于第一微带缝隙(201)对称；第三微带介质耦合单元(107)上设置有第二微带缝隙(302)，第二微带缝隙(302)将第三微带介质耦合单元(107)均分成两部分，在第三微带介质耦合单元(107)的中心线上设置有两个并列的第二金属化过孔(302)，两个第二金属化过孔(302)相对于第二微带缝隙(301)对称。