[发明专利]一种TFT阵列基板单面蚀刻方法有效
| 申请号： | 201611063306.7 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106746697B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 王徐亮;李伟丽 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，解决了现有TFT阵列基板单面蚀刻过程中存在通过渗透作用接触到TFT结构单元的酸液，进而造成TFT阵列单元损伤的问题。该方法包括：蚀刻前，在TFT阵列基板上需要保护的表面贴附耐酸膜；在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 耐酸 气体隔离带 表面贴附 渗透作用 酸液 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板单面蚀刻方法，其特征在于，包括：蚀刻前，在TFT阵列基板上需要保护的表面贴耐酸膜，在耐酸膜和需要保护的表面之间形成气体隔离带；气体隔离带中的气体压强大于标准大气压；利用充气的方式在耐酸膜的中间部位形成气体隔离带，以将所述气体隔离带作为检测耐酸膜是否存在破损的标尺。
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