[发明专利]基于软光刻技术的三维细胞培养芯片、其制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201611053030.4 申请日: 2016-11-25
公开(公告)号: CN108102913B 公开(公告)日: 2023-10-27
发明(设计)人: 索广力;乔勇 申请(专利权)人: 南京凌芯生物科技有限公司
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00;C12N5/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 211100 江苏省南京市江宁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于软光刻技术的三维细胞培养芯片、其制备方法及应用。该制备方法包括:采用软光刻技术制作具有设定图案结构的掩模;以液态高分子化合物或高分子化合物溶液均匀覆盖所述掩模,并形成一定厚度的液层;使该液层固化,之后移除掩模,获得印章,其印面具有设定立体结构;以所述印面与修饰剂接触,使修饰剂以可脱离方式附着在所述印面上;以所述印面与选定基底表面接触,之后将所述印章从选定基底上移离,从而使至少部分修饰剂脱离所述印面而附着在所述选定基底表面并形成图纹结构,所述图纹结构包括若干能够吸附单细胞的图案组成的阵列。本发明的三维细胞培养芯片易于简单、低成本、大规模的制备,且能够提供理想的3D细胞培养环境。
搜索关键词: 基于 光刻 技术 三维 细胞培养 芯片 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种基于软光刻技术的三维细胞培养芯片的制备方法,其特征在于包括:采用软光刻技术制作具有设定图案结构的掩模;以液态高分子化合物或高分子化合物溶液均匀覆盖所述掩模,并形成具有设定厚度的液层;使所述液层固化,之后移除掩模,获得印章,所述印章的印面具有设定立体结构;以所述印章的印面与修饰剂接触,使所述修饰剂以可脱离方式附着在所述印面上;以所述印面与选定基底表面接触,之后将所述印章从选定基底上移离,从而使至少部分修饰剂脱离所述印面而附着在所述选定基底表面并形成图纹结构,所述图纹结构包括由复数个图案组成的阵列,所述图案至少能够吸附单细胞,从而获得所述三维细胞培养芯片。
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