[发明专利]谐振式硅微传感器上膜片加工方法在审
| 申请号： | 201611043128.1 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106379857A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张淑芬 | 申请（专利权）人： | 陕西启源科技发展有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司61220 | 代理人： | 康凯 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区沣*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明谐振式硅微传感器上膜片加工方法，涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法包括以下步骤选取一片重掺杂的P型硅晶片，利用外延工艺，在硅晶片衬底上，外延10um厚的轻掺杂的N型层，然后，将N型外延层进行化学机械抛光，接着，在硅衬底的正面，热氧化生长一层1um厚的SiO2薄膜，涂覆上光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，利用反应离子腐蚀，腐蚀出两个深度为10um，长度为1800um，宽度为860um的凹槽；利用BHF酸溶液除去硅衬底上的SiO2薄层，在此之后进行化学机械抛光。本发明兼容性好，且加工效率高，有利于提高传感器的可靠性，降低生产成本，可批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 式硅微 传感器 膜片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种谐振式硅微传感器上膜片加工方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，选取一片重掺杂的P型硅晶片，利用外延工艺，在硅晶片衬底上，外延10um厚的轻掺杂的N型层，然后，将N型外延层进行化学机械抛光，接着，在硅衬底的正面，热氧化生长一层1um厚的SiO2薄膜，涂覆上光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，利用反应离子腐蚀，腐蚀出两个深度为10um，长度为1800um，宽度为860um的凹槽；第二步，利用BHF酸溶液除去硅衬底上的SiO2薄层，在此之后进行化学机械抛光。
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