[发明专利]平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法在审
| 申请号： | 201611043012.8 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN106504965A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王耀斌 | 申请（专利权）人： | 陕西盛迈石油有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司61220 | 代理人： | 贾苗苗 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法。平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法，先形成相互平行的阴极和栅极电极图案；其次，制作阻挡层；最后，将上述基片放入聚四氟乙烯的反应釜中，将0.05mol/L硝酸锌和0.05mol/L六次甲基四胺配制成生长溶液倒入反应釜中；把反应釜放入烘箱中，控制反应温度为95℃，反应时间为6h；反应结束后将反应釜冷却至室温，取出样片浸泡丙酮中除去阻挡层，从而制备平栅极ZnO场致发射电子源。本发明所述的平栅极氧化锌场致发射电子源具有较好的发射稳定性和发光特性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 氧化锌 发射 电子 制备 方法 | ||
【主权项】：
平栅极氧化锌场致发射电子源的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：首先，利用旋涂技术将RZJ‑304光刻胶涂覆在洁净的ITO玻璃基底表面，经烘烤、曝光、显影和固膜后，采用ITO 薄膜刻蚀液腐蚀没有光刻胶保护的ITO 薄膜，去除光刻胶后形成相互平行的阴极和栅极电极图案；其次，再利用光刻技术在栅极电极表面、阴极和栅极电极之间制作阻挡层；最后，将上述成品放入聚四氟乙烯的反应釜中，将生长溶液倒入反应釜中；把反应釜放入烘箱中；反应结束后将反应釜冷却至室温，取出样片浸泡丙酮中除去阻挡层，从而制备平栅极ZnO场致发射电子源。
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