[发明专利]一种三维异质结构的硫化钴镍电极材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201611037345.X 申请日: 2016-11-23
公开(公告)号: CN106683892B 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 铁津津;孙明;陈丰;叶飞;余林 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86
代理公司: 广东广信君达律师事务所 44329 代理人: 张燕玲;杨晓松
地址: 510062 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三维异质结构的硫化钴镍(NiCo2S4)电极材料及其制备方法。该方法包括以下步骤:首先对碳材料载体进行改性,而后将之与钴盐、镍盐,硫源混合与高压反应釜中进行水热反应,再经洗涤和干燥处理,得到三维异质结构的NiCo2S4电极材料。本发明的方法采用一步法制备了三维异质结构的NiCo2S4电极材料,该方法具有性能稳定且工艺重复性能好的优点,所制备的三维异质结构的NiCo2S4电极材料,具有优异的超级电容性能。
搜索关键词: 一种 三维 结构 硫化 电极 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种三维异质结构的硫化钴镍电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.将碳材料载体置于硫脲和钠盐溶液的混合液中,在120~180℃反应2~8h,经过滤、去离子水洗涤、干燥,得到硫掺杂改性的碳材料载体;其中,所述钠盐为硫化钠或者氯化钠;所述钠盐溶液为硫化钠的甲醇溶液、硫化钠的乙醇溶液、氯化钠的甲醇溶液或氯化钠的乙醇溶液;所述钠盐溶液的浓度为0.08~0.16mol/L;所述硫脲的浓度为0.4~0.8mol/L;S2.将钴盐、镍盐和硫源溶于醇中,搅拌混合均匀,转移到反应釜中,再将步骤S1中所得硫掺杂改性的碳材料载体加入反应釜中,在180~220℃反应1~4h,经去离子水洗涤和干燥处理,即得到硫化钴镍电极材料。
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