[发明专利]基于碳纳米管生长技术的气体传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201611018959.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106770539B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 梅玉海;关荣锋;邵荣 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院;无锡芯望传感科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 224000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管生长技术的气体传感器的制造方法，所述气体传感器包括绝缘基体、绝缘层、阴阳微电极阵列、阴阳电极焊接区和若干碳纳米管；绝缘层设置在绝缘基体上，阴阳微电极阵列和阴阳电极焊接区设置在绝缘层上，阴阳微电极阵列分别与阴阳电极焊接区导电连接，阴阳微电极阵列上垂直排列若干碳纳米管；所述传感器的阴阳微电极阵列和阴阳电极焊接区由显微光刻掺杂多晶硅形成，并利用阴极真空喷镀技术将用于生长碳纳米管的金属喷射到外露的阴阳微电极阵列上，然后利用化学蒸汽沉积技术在阴阳微电极阵列上生长垂直排列的碳纳米管；可以很好的控制微电极阵列的间距和形状，使其有规律的排列，提高气体传感器的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 微电极阵列 气体传感器 阴阳电极 焊接区 绝缘层 碳纳米管 碳纳米管生长 垂直排列 绝缘基体 化学蒸汽沉积 掺杂多晶硅 生长碳纳米 导电连接 金属喷射 显微光刻 阴极真空 外露 传感器 喷镀 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种基于碳纳米管生长技术的气体传感器的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)准备一绝缘基体，在绝缘基体上沉积绝缘层；(2)在绝缘层上沉积掺杂多晶硅，显微光刻所述掺杂多晶硅，形成阴、阳微电极阵列和阴、阳电极焊接区，阴、阳微电极阵列分别与阴、阳电极焊接区导电连接；(3)再在掺杂多晶硅上沉积绝缘层，显微光刻绝缘层，使阴、阳微电极阵列和阴、阳电极焊接区完全外露；(4)将用于生长碳纳米管的金属喷射到外露的阴、阳微电极阵列上；(5)利用化学蒸汽沉积技术在阴、阳微电极阵列上生长垂直排列的碳纳米管，同时利用微纳加工技术控制阴、阳微电极阵列上的碳纳米管的间距和形状。
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