[发明专利]一种低品位菱镁矿的去杂提纯方法在审
| 申请号： | 201611010449.1 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN106565115A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 曾卫军 | 申请（专利权）人： | 营口镁质材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B2/10 | 分类号： | C04B2/10;C01F5/08;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 沈阳火炬专利事务所(普通合伙)21228 | 代理人： | 李福义 |
| 地址： | 115000 辽宁省营口市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低品位菱镁矿的去杂提纯方法，包括以下步骤（1）以低品位的菱镁矿为原料，将菱镁矿进行过滤，滤掉菱镁矿中的大块杂质；（2）将菱镁矿送入粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为研磨气量为6~10m3/min，空气压力为1Mpa；（3）将粉碎后的菱镁矿放入反射炉、回转窑、悬浮炉、沸腾炉或隧道窑内于600～1000℃下充分焙烧；（4）将轻烧后的氧化镁加水水化、自磨；（5）最后将氢氧化镁粉末于600～900℃二次煅烧，得到去杂提纯的轻烧氧化镁粉。本发明的方法提高了氧化镁除杂效率，提高了氧化镁纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 品位 菱镁矿 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种低品位菱镁矿的去杂提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）以低品位的菱镁矿为原料，将菱镁矿进行过滤，滤掉菱镁矿中的大块杂质；（2）将菱镁矿送入粉碎机中进行粉碎，粉碎参数为：研磨气量为6~10m3/min，空气压力为1Mpa；（3）将粉碎后的菱镁矿放入反射炉、回转窑、悬浮炉、沸腾炉或隧道窑内于600～1000℃下充分焙烧；（4）将轻烧后的氧化镁加水水化、自磨；（5）最后将氢氧化镁粉末于600～900℃二次煅烧，得到去杂提纯的轻烧氧化镁粉。
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