[发明专利]二维阵列换能器的制造方法及二维阵列换能器在审
申请号: | 201610998896.6 | 申请日: | 2016-11-08 |
公开(公告)号: | CN106388864A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 陈昳丽;朱艳春;付楠;李荣茂;余绍德;张志诚;伍仕斌;谢耀钦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61B8/00 | 分类号: | A61B8/00;B33Y80/00;B33Y10/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种二维阵列换能器的制造方法及二维阵列换能器,涉及二维阵列换能器技术领域。方法包括通过3D打印技术打印第一匹配层和第二匹配层;将所述第一匹配层粘接到压电晶片的地电极面上,并将第二匹配层粘接到第一匹配层,使得压电晶片、第一匹配层和第二匹配层形成一第一整体部件;将所述第一整体部件从侧面切割成纵横正交的二维阵列;将所述纵横正交的二维阵列在成型模具上成型为平面;根据成型为平面的纵横正交的二维阵列,生成公共电极引线和信号传输通路,形成第二整体部件;通过3D打印技术,采用一背衬灌注模具将所述第二整体部件外部打印成背衬;通过3D打印技术,采用一声透镜灌注模具,在背衬固化成型后的部件外侧打印声透镜。 | ||
搜索关键词: | 二维 阵列 换能器 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种二维阵列换能器的制造方法,其特征在于,包括:通过3D打印技术打印第一匹配层和第二匹配层;将所述第一匹配层粘接到压电晶片的地电极面上,并将第二匹配层粘接到第一匹配层,使得压电晶片、第一匹配层和第二匹配层形成一第一整体部件;将所述第一整体部件从侧面切割成纵横正交的二维阵列;将所述纵横正交的二维阵列在成型模具上成型为平面;根据成型为平面的纵横正交的二维阵列,生成公共电极引线和信号传输通路,形成第二整体部件;通过3D打印技术,采用一背衬灌注模具将所述第二整体部件外部打印成背衬;通过3D打印技术,采用一声透镜灌注模具,在背衬固化成型后的部件外侧打印声透镜。
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