[发明专利]一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法在审
| 申请号： | 201610996866.1 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN106340806A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 酉艳宁 | 申请（专利权）人： | 北京青辰光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 650 nm 分布 反馈 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。
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