[发明专利]采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线

摘要

采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线，涉及天线领域。本发明是为了解决在保留传统平衡对拓维瓦尔第天线低交叉极化的优点的同时，解决传统平衡维瓦尔第天线的非对称性，所导致天线E面主瓣偏移的问题。每层地板金属层附着在1层介质基板层的下表面，导体金属层附着在位于下层的介质基板层的上表面，导体金属层和地板金属层分别向两侧延展形成金属臂，地板金属层金属臂与导体金属层金属臂成对称结构，金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构，剔除位于导体金属层的内侧曲线和下层地板金属层的内侧曲线之间的下层介质基板层，且剔除后的下层介质基板层比地板金属层的内侧曲线多出一段介质。它用于工作在10‑40GHz的工作频率内。

主权项

1.采用非对称介质剔除与混合型开槽的平衡对拓维瓦尔第天线，其特征在于，它包括1层导体金属层(1)、2层地板金属层(2)和2层介质基板层(3)，2层介质基板层(3)的结构相同，2层介质基板层(3)沿竖直方向组装在一起构成天线，每层地板金属层(2)附着在1层介质基板层(3)的下表面，导体金属层(1)附着在位于下层的介质基板层(3)的上表面，导体金属层(1)和地板金属层(2)分别向两侧延展形成金属臂，且下层上的地板金属层(2)所形成的金属臂与导体金属层(1)所形成的金属臂相对于天线轴线成对称结构，2层地板金属层(2)所形成的金属臂结构相同，在金属臂的外侧和内侧均形成曲线结构，导体金属层(1)的外侧曲线Y_外侧和内侧曲线Y_内侧沿着该金属层的槽线进行延长，由带状线延长成微带线结构，位于下层的地板金属层(2)的外侧曲线和内测曲线包裹着导体金属层(1)的带状线和微带线进行延长，剔除位于导体金属层(1)的内侧曲线和下层地板金属层(2)的内侧曲线之间的下层介质基板层(3)，且剔除后的下层介质基板层(3)比地板金属层的内侧曲线多出一段介质，位于介质窄口处的介质基板层(3)曲线与导体金属层(1)内侧曲线Y_内侧一致，位于介质宽口处的介质基板层(3)曲线比下层地板金属层(2)的内测曲线Y_内侧多出一段宽度为W_A的等宽介质基板层，且上层介质基板层(3)的结构与底层介质基板层(3)的结构相同；剔除的2层介质基板层(3)均满足方程：式中，Y₁为介质剔除部分窄口处的介质基板层曲线，Y₂为介质剔除部分宽口处的介质基板层曲线，Y₃为导体金属层内侧曲线Y_内侧。