[发明专利]一种基于下垂法的直流微电网及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201610985940.X 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN106451408A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 马爱华;李磊;师贺;管月;郭伟;龚坤珊 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H02J1/10 分类号: H02J1/10
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙)32273 代理人: 曹成俊
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于下垂法的直流微电网,新型控制方法可以克服传统下垂法并联变换器电流不均和母线电压下降的缺点。本发明提出一种应用于直流微电网的新型控制方法,新型控制方法基于低带宽通信,由电流调整环和电压调整环构成。具有以下优点:电流调整环根据电流输出自行调节,可克服线路阻抗的影响,使变换器输出阻抗相等,每个变换器可将输出特性调整到一致 ,一旦下垂系数适应微网系统即不在变化;电压参考环可增大输出电压参考值,抵消下垂控制带来的母线电压下降,从而补偿母线电压跌落;采用低带宽通信,克服了高速通信一旦主机或通信出现问题,系统可靠性降低,影响正常运行的缺点。
搜索关键词: 一种 基于 下垂 直流 电网 及其 控制 方法
【主权项】:
一种基于下垂法的直流微电网,其特征在于,包括第一直流电压源(1)、第一Boost变换器(2)、第二直流电压源(3)、第二Boost变换器(4)和变换器负载(5);所述第一直流电压源(1)包括直流电压源U1;所述第二直流电压源(3)包括直流电压源U2;所述第一Boost变换器(2)包括滤波电容C1、续流电感L1、N沟道MOSFET开关管Q1、二极管D1和滤波电容C2;所述滤波电容C1的两端分别连接所述续流电感L1一端和所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极S;所述续流电感L1的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的漏极和所述二极管D1的正极;所述滤波电容C2的两端分别连接所述二极管D1的负极和所述所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极;所述第二Boost变换器(4)包括滤波电容C3、续流电感L2、N沟道MOSFET开关管Q2、二极管D2和滤波电容C4;所述滤波电容C3的两端分别连接所述续流电感L2一端和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述续流电感L2的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q2漏极和所述二极管D2的正极;所述滤波电容C4的两端分别连接所述二极管D2的负极和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述变换器负载(5)包括单独负载R1、单独负载R2和公共负载R,所述单独负载R1的一端、单独负载R2的一端和公共负载R的一端均连接;所述单独负载R1的另一端连接所述二极管D1的负极,所述单独负载R2的另一端连接所述二极管D2的负极,所述公共负载R的另一端连接所述N沟道MOSFET开关管Q1的源极和所述N沟道MOSFET开关管Q2的源极;所述直流电压源U1的正极和负极分别连接所述滤波电容C1的两端;所述直流电压源U2的正极和负极分别连接所述滤波电容C2的两端。
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