[发明专利]基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器在审
申请号: | 201610979423.1 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN106572624A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 王建国;朱美萍;孙建;易葵;邵建达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人: | 张泽纯,张宁展 |
地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器,包括玻璃衬底,其特征是在玻璃衬底上依次沉积氮化钛薄膜、氧化铟锡薄膜和阵列的盘状氮化钛纳米盘,所述的氮化钛薄膜的厚度t3的取值范围不小于200nm,氧化铟锡薄膜的厚度t2的取值范围为45nm‑55nm,氮化钛nm盘的厚度t1的取值范围为40nm‑60nm,所述的氮化钛纳米盘的中心间距P的取值范围为450nm‑550nm,纳米盘的直径d的取值范围为240nm‑320nm。本发明超材料吸收器具有吸收效率高,结构简单等优点,在550nm到650nm的波段范围的平均吸收率大于95%。可以应用于生物传感器,探测器和光伏器件等。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 阵列 结构 光学 材料 吸收 | ||
【主权项】:
一种基于纳米盘阵列结构的光学超材料吸收器,包括玻璃衬底,其特征是在玻璃衬底上依次沉积氮化钛薄膜、氧化铟锡薄膜和阵列的盘状氮化钛纳米盘,所述的氮化钛薄膜的厚度t3的取值范围为不小于200nm,氧化铟锡薄膜的厚度t2的取值范围为45nm‑55nm,氮化钛nm盘的厚度t1的取值范围为40nm‑60nm,所述的氮化钛纳米盘的中心间距P的取值范围为450nm‑550nm,纳米盘的直径d的取值范围为240nm‑320nm。
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