[发明专利]一种搪锡方法

摘要

本发明公开了一种搪锡方法，包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品；本发明的优点在于，预先将氧化层处理掉，再选用浸蘸的方式进行搪锡，去除了导致产品合格率低的不良因素，使成品中杂质含量降低至≤1％，提高成品合格率，同时搪锡处理方式缩短了时间，保证产品其他性能不受影响，方法简便、易行，适于规模化推广。

主权项

1.一种搪锡方法，其特征在于，该方法包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品；步骤(1)中采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1‑4的体积比配制而成；步骤(1)中去氧化处理时，采用的去氧化液温度为25℃‑98℃；步骤(1)去氧化处理的时间为90s‑240s；步骤(2)中，先将电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中；在步骤(2)进行电子元件的搪锡处理时，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1s；步骤(2)搪锡处理的温度为260℃‑280℃；步骤(3)中将搪锡后的电子元件冷却至25℃再进行清洗；所述的步骤(3)电子元件冷却完成后进行清洗时，先在40℃‑50℃的温水下冲洗15‑20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面；用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30‑35min；步骤(3)中清洗时使用的洗液为纯净水。