[发明专利]一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法在审
| 申请号： | 201610955891.5 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106495686A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 高景晖;王妍;刘泳斌;胡兴好;钟力生;于钦学 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 齐书田 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法，首先采用传统固相合成的方法，配制出不同组分的陶瓷样品；其次通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系；然后根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图；最后在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点，介电温谱的测试结果表明在三相临界点处陶瓷样品的电容率εr最高，因而可将三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷最佳配比。本发明方法在一定程度上实现电容率的成倍增加，对电容器电荷存储能力的提高提供一定的参考和指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 临界 效应 提高 陶瓷 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种基于三临界效应提高铁电陶瓷电容率的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用传统固相合成的方法，配制出不同组分的陶瓷样品；(2)通过介电温谱测试系统测得各陶瓷样品电容率εr随温度T的变化关系；(3)根据介电温谱测试系统所测得的各陶瓷样品对应的铁电‑顺电相变点、铁电‑铁电相变点的温度点绘制陶瓷体系的温度‑组分相图；(4)在陶瓷体系的温度‑组分相图中通过观察各相交点确认体系的三相临界点，以三相临界点所对应的组分作为铁电陶瓷电容率εr最高的配比。
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