[发明专利]一种超宽带红外截止滤光膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610945130.1 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN106443856A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 冷健;季一勤;刘华松;刘丹丹;刑宇哲 申请(专利权)人: 天津津航技术物理研究所
主分类号: G02B5/28 分类号: G02B5/28
代理公司: 中国兵器工业集团公司专利中心11011 代理人: 刘东升
地址: 300308 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种超宽带红外截止滤光膜的制备方法,包括步骤:基片清洁,基片加热,基片预清洗,膜系结构确定,基片材料选择锗,高折射率镀膜材料为Ge,低折射率镀膜材料为ZnS,采用双面镀膜方式实现红外截止滤光膜的制备,两面的膜系结构均为:Sub/(αiHβiL)m/Air,i=1,2,…,m;m≥10;其中,H、L分别代表1/4波长光学厚度的高折射率膜层Ge和低折射率膜层ZnS;αi,βi为1/4波长光学厚度倍数,其数值大小与参考波长直接相关,并且0.1≤αi/βj≤20,i,j=1,2,…,m;m≥10;膜系镀制,根据膜系结构,对基片第一面和第二面的各膜层依次进行镀制。本发明制得的膜层稳定,光谱性能好。
搜索关键词: 一种 宽带 红外 截止 滤光 制备 方法
【主权项】:
一种超宽带红外截止滤光膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:基片清洁对待镀膜零件表面进行清洁;S2:基片加热镀膜前对镀膜零件进行烘烤加热,提高基片温度;S3:基片预清洗镀膜前用离子源对镀膜零件进行预清洗;S4:膜系结构确定基片材料选择锗,高折射率镀膜材料为Ge,低折射率镀膜材料为ZnS,采用双面镀膜方式实现红外截止滤光膜的制备,两面的膜系结构均为:Sub/(αiHβiL)m/Air,i=1,2,…,m;m≥10其中,H、L分别代表1/4波长光学厚度的高折射率膜层Ge和低折射率膜层ZnS;αi,βi为1/4波长光学厚度倍数,其数值大小与参考波长直接相关,并且0.1≤αi/βj≤20,i,j=1,2,…,m;m≥10。S5:膜系镀制根据步骤S4中的膜系结构,对基片第一面和第二面的各膜层依次进行镀制。
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