[发明专利]抗饱和电磁装置

摘要

本发明涉及一种抗饱和电磁装置。所述抗饱和电磁装置包括：芯部，在所述芯部中能生成磁通；和开口，所述开口穿过所述芯部。间隔件可被配置在所述开口内并且可延伸穿过所述芯部。所述间隔件可限定穿过所述芯部的通道。初级导体绕组可被接收在所述间隔件的所述通道中并且可延伸穿过所述芯部。流过所述初级导体绕组的电流生成绕所述初级导体绕组的磁场。所述磁场包括电磁能量。所述间隔件可包括用于吸收所述电磁能量的预定部分的构造，并且所述电磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。

主权项

一种抗饱和电磁装置(100，200，302，400)，所述抗饱和电磁装置包括：芯部(102)，在所述芯部中能生成磁通(104)；开口(110)，所述开口穿过所述芯部；间隔件(114)，所述间隔件被配置在所述开口内并且延伸穿过所述芯部，所述间隔件限定穿过所述芯部的通道(116)；以及初级导体绕组(120)，所述初级导体绕组被接收在所述间隔件的所述通道中并且延伸穿过所述芯部，其中流过所述初级导体绕组的电流生成绕所述初级导体绕组的磁场，所述磁场包括电磁能量，且所述间隔件包括用于吸收所述电磁能量的预定部分的构造(124)，并且所述电磁能量的其余部分被所述芯部吸收以在所述芯部中生成磁通流。