[发明专利]可调谐表面声波谐振器和过滤器

摘要

本发明提供了可调谐表面声波谐振器（SAW）和过滤器，其半导体压电层具有嵌入型或抬高型的电极掺杂区。该可调谐SAW器件通过金属化比率和质量负荷随着DC偏压改变而变化的特性来调整其谐振频率。使用本发明提供的可调谐RF过滤器的移动电话和无线系统能够覆盖多个通讯频率带或频率范围，减少对过滤器的数量的需求，并降低RF过滤器的尺寸和价钱。

主权项

一种用于表面声波设备的具有可调谐频率的SAW叉指换能器IDT结构，有嵌入型电极掺杂区，其特征包括了：‑一个支持基体，有支持基体厚度；‑一个第一压电层在前述支持基体上，有第一压电层厚度；‑多个正电极掺杂区在前述第一压电层中埋置，前述正电极掺杂区是压电半导体，有第一掺杂类型；‑多个负电极掺杂区在前述第一压电层中埋置，前述负电极掺杂区是压电半导体，有第二掺杂类型，每个前述负电极掺杂区在二个毗邻正电极掺杂区之间,，正电极掺杂区和毗邻负电极掺杂区中心对中心距离被控制到叉指间距b；‑多个金属正电极手指，每一个正电极手指在一个嵌入型正电极掺杂区之上，前述金属正电极手指连接到正电极垫；‑多个金属负电极手指，每一个负电极手指在一个嵌入型负电极掺杂区之上，前述金属负电极手指连接到负电极垫；‑一DC偏压通过薄膜偏压电阻连接到前述IDT来控制和变化前述嵌入型正电极掺杂区和嵌入型负电极掺杂区中所形成的耗尽区的尺寸，从而通过对与每个前述正电极手指和每个前述负极电极手指有关的质量负荷和金属化比率的调整，来达到调整前述IDT所激发或所接收的表面声波的频率，前述薄膜偏压电阻集成在前述IDT上，并且前述薄膜偏压电阻的阻抗值被控制成足够大，来隔绝DC偏压电路与RF信号，而前述正电极垫和负电极垫连接到电信号源或信号接收器，来从前述IDT激发表面声波或从前述IDT接收表面声波。