[发明专利]AMOLED像素驱动电路及驱动方法有效

专利信息
申请号: 201610900286.8 申请日: 2016-10-14
公开(公告)号: CN106504699B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 聂诚磊 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;G09G3/3258
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。AMOLED像素驱动电路为6T1C结构,包括作为驱动薄膜晶体管的双栅极的第一薄膜晶体管(T1)、与第一薄膜晶体管(T1)呈镜像关系的第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1),接入第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、第三扫描信号(Scan3)、数据信号(Data)、及预设电压(Vpre),该电路能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题;另外,将双栅极薄膜晶体用作驱动薄膜晶体管,能够通过输入预设电压(Vpre)来指定驱动晶体管的阈值电压。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
1.一种AMOLED像素驱动电路,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1);其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)为双栅极薄膜晶体管,其底栅(BG1)接入预设电压(Vpre),顶栅(TG1)电性连接第一节点(A),源极电性连接第二节点(B),漏极接入电源电压(VDD);所述第二薄膜晶体管(T2)为双栅极薄膜晶体管,并与第一薄膜晶体管(T1)呈镜像关系,其底栅(BG2)电性连接第六薄膜晶体管(T6)的漏极,顶栅(TG2)及漏极均电性连接第一节点(A),源极电性连接第二节点(B);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极接入电源电压(VDD),漏极电性连接第一节点(A);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接数据信号(Data),漏极电性连接第二节点(B);所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第三扫描信号(Scan3),源极电性连接第二节点(B),漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极;所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极接入预设电压(Vpre),漏极电性连接第二薄膜晶体管(T2)的底栅(BG2);所述电容(C1)的一端电性连接第一节点(A),另一端接地;所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第二节点(B),阴极接地;其中,双栅极的第一薄膜晶体管(T1)用于驱动有机发光二极管(D1),第四薄膜晶体管(T4)用于控制数据信号(Data)的进入。
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