[发明专利]一种微型非对角巨磁阻抗效应敏感元件在审
| 申请号： | 201610895727.X | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106546931A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张清;赵振杰;王江涛 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非对角巨磁阻抗效应敏感元件，包括线圈顶层部分、线圈底层部分、敏感材料体、连接过孔、PCB上层和PCB下层；所述敏感材料体设置于所述PCB上层和所述PCB下层之间；所述线圈顶层部分设置于所述PCB上层上表面；所述线圈底层部分设置于所述PCB下层下表面；所述连接过孔穿过所述PCB上层和所述PCB下层，并连接所述线圈顶层部分和所述线圈底层部分组成MEMS线圈，从而包围所述敏感材料体；所述PCB上层和所述PCB下层之间填充绝缘填充物。本发明克服了因为一般工艺线圈体积过大导致的敏感元件体积较大的弊端,使非对角巨磁阻抗效应敏感元件平面化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微型 对角 磁阻 效应 敏感 元件 | ||
【主权项】：
一种微型非对角巨磁阻抗效应敏感元件，其特征在于，包括：线圈顶层部分(1)、线圈底层部分(2)、敏感材料体(3)、连接过孔(4)、PCB上层(5)和PCB下层(6)；所述敏感材料体(3)设置于所述PCB上层(5)和所述PCB下层(6)之间；所述线圈顶层部分(1)设置于所述PCB上层(5)上表面；所述线圈底层部分(2)设置于所述PCB下层(6)下表面；所述连接过孔(4)穿过所述PCB上层(5)和所述PCB下层(6)，并连接所述线圈顶层部分(1)和所述线圈底层部分(2)组成MEMS线圈，从而包围所述敏感材料体(3)；所述PCB上层(5)和所述PCB下层(6)之间填充绝缘填充物(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610895727.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
