[发明专利]一种CrO2纳米晶阵列结构的水热制备方法

摘要

本发明的一种CrO₂纳米晶阵列结构的水热制备方法，属于水热合成纳米材料的技术领域。技术方案是：先用阳极氧化法在Ti片表面制备出TiO₂纳米管阵列，然后超声得到Ti/TiO2纳米凹坑阵列基底；配置CrO₃质量分数为0.44％～2.2％的水溶液放入反应釜中，将基底置入溶液里，通入高压纯氧，密封反应釜；以一定的升温速度使釜内溶液温度升至400℃，并保温60min；待自然冷却，即在基底上生长出CrO₂纳米晶阵列纳米结构。本发明具有工艺简单，操作容易，能较容易的进行工业化生产的特点，用这种方法制备的CrO₂纳米晶阵列纯度较高，能应用于磁存储领域。

主权项

1.一种CrO2纳米晶阵列结构的水热制备方法，有如下步骤：步骤一、利用阳极氧化法在Ti片表面制备TiO2纳米管阵列，将表面生长了TiO2纳米管阵列的Ti片于0～60min内放在去离子水中，超声10～60min，移除表面的TiO2纳米管，得到具有纳米凹坑阵列表面的Ti/TiO2基底；步骤二、以CrO3为原料配置水溶液，质量分数为0.44％～2.2％之间；将CrO3水溶液放入反应釜中，CrO3溶液占釜腔体积的40％～80％，将具有纳米凹坑阵列表面的Ti/TiO2基底放置在溶液里；然后通入高压纯氧，至釜内氧气压强为10～15MPa，密封反应釜；步骤三、加热反应釜使釜内溶液温度升至400℃，在400℃保温1小时；步骤四、反应釜自然冷却，取出基底，用去离子水清洗，自然晾干，即在具有纳米凹坑阵列表面的Ti/TiO2基底上长出CrO2纳米晶阵列。