[发明专利]一种自适应补偿的射频功率放大器

摘要

本申请公开了一种自适应补偿的射频功率放大器。转换电路产生两路同相的输入信号。驱动级电路中，PMOSFET一和NMOSFET一的漏极相连并作为驱动级电路的输出端，同时向功率级电路和反馈电路输出中间信号。输入信号一为PMOSFET一提供直流偏置和交流输入。输入信号二叠加反馈信号为NMOSFET一提供动态偏置和交流输入。反馈电路将该中间信号中的交流高频分量滤除，仅保留直流分量和交流低频分量得到反馈信号，送往NMOSFET一的栅极。功率级电路中，中间信号为NMOSFET二提供动态偏置和交流输入，使NMOSFET二偏置在AB类并且具有增益扩展。NMOSFET二的漏极作为所述功率级电路的输出端，对外输出射频输出信号。本申请同时实现了射频功率放大器的高线性度、高效率和高功率三个目标。

主权项

1.一种自适应补偿的射频功率放大器，其特征是，所述射频功率放大器包括转换电路、驱动级电路和功率级电路；所述转换电路将一路射频输入信号转换为至少两路同相的输入信号并送往驱动级电路；所述驱动级电路包括PMOSFET一、NMOSFET一和反馈电路；PMOSFET一的漏极和NMOSFET一的漏极相连并作为所述驱动级电路的输出端，同时向功率级电路和反馈电路输出中间信号；输入信号一为PMOSFET一提供直流偏置和交流输入，使PMOSFET一偏置在AB类并且在1dB压缩点之前的增益在±3dB的范围内变动；输入信号二叠加反馈信号为NMOSFET一提供动态偏置和交流输入，使NMOSFET一偏置在AB类并且具有增益扩展；反馈电路位于NMOSFET一的漏极与栅极之间，将中间信号中的交流高频分量滤除，仅保留直流分量和交流低频分量得到反馈信号，送往NMOSFET一的栅极；所述功率级电路包括NMOSFET二；中间信号为NMOSFET二提供动态偏置和交流输入，使NMOSFET二偏置在AB类并且具有增益扩展；NMOSFET二的漏极作为所述功率级电路的输出端，对外输出射频输出信号；或者，任意NMOSFET改为N沟道JFET、N沟道MESFET、N沟道HEMT、NPN型双极晶体管中的一种或多种，任意PMOSFET改为P沟道JFET、P沟道MESFET、P沟道HEMT、PNP型双极晶体管中的一种或多种；场效应管的栅极、源极、漏极分别改为双极晶体管的基极、发射极、集电极。