[发明专利]焦炭气孔壁微观结构的分析方法

摘要

本发明提供了一种焦炭气孔壁微观结构的分析方法，包括：用偏振光源照射所述焦炭的待测样品，对待测样品的每个采样单元，采集其在偏振光源的各偏振角度下的图像；获取每个图像的每个像素点的像素值，根据预先制定的查找表得到每个像素值对应的反射率；获取每个像素点的最大反射率和双反射率；将满足预定条件的像素点作为有效像素点；建立指纹图基于的矩阵，矩阵中的每个元素为满足条件的像素点占有效像素点的比例；基于矩阵绘制等高线图作为焦炭的指纹图，根据不同的指纹图来分析焦炭的气孔壁微观结构的差异。本发明的焦炭气孔壁微观结构的分析方法，能够同时反映最大反射率和双反射率的信息，对于焦炭气孔壁微观结构的描述更全面、区分更灵敏。

主权项

一种焦炭气孔壁微观结构的分析方法，其特征在于，包括：步骤一：用偏振光源照射所述焦炭的待测样品，采集所述待测样品的每个采样单元在所述偏振光源的多个偏振角度下的多个图像；步骤二：获取各所述图像中的每个像素点的像素值，根据预先制定的查找表得到各所述像素值对应的反射率；步骤三：对各所述采样单元采集的所述多个图像，获取每个所述像素点在所述多个图像中的最大反射率Rmax和最小反射率Rmin，并根据如下公式计算各所述采样单元的各所述像素点的双反射率Rbi：Rbi＝Rmax‑Rmin；步骤四：将所述待测样品的各所述采样单元的各所述图像中的各所述像素点中满足预定条件的作为有效像素点；步骤五：对所述待测样品建立I行J列的矩阵X，所述矩阵X中的每个元素xij为满足Rmax∈(Rmax,i‑1,Rmax,i]且Rbi∈(Rbi,j‑1,Rbi,j]的所有所述像素点的个数与所述有效像素点的个数之比，其中，Rmax,i‑1和Rmax,i分别为将所述最大反射率Rmax的可能的取值范围均分成I段后第i段的下限值和上限值，Rbi,j‑1和Rbi,j分别为将所述双反射率Rbi的可能的取值范围均分成J段后第j段的下限值和上限值，其中i＝1,2,…,I，j＝1,2,…,J；步骤六：基于所述矩阵X绘制等高线图作为所述焦炭的指纹图，根据不同的所述指纹图来分析不同的所述焦炭的气孔壁微观结构的差异。