[发明专利]一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料

摘要

本发明涉及形状记忆高分子复合材料及导电材料领域，具体涉及一种具有导电网络结构的导电材料如金属纳米线、纳米粉末、碳纳米管、石墨烯、碳粉和具有自修复材料、形状记忆材料如聚氨酯制备得到的一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料。

主权项

1.一种基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料，由以下组分和质量百分数的原料制备而成：导电材料，用量为0.5％‑1.5％，自修复材料，用量为35％‑45％，形状记忆材料，用量为53.5％‑64.5％，上述基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料，包括如下步骤：将导电材料溶解于溶剂A中，搅拌并超声一段时间，将其滴涂在基体上，并烘干得到导电膜或烘干后放入马弗炉中200℃下24h得到导电膜；将自修复材料溶解于溶剂B中，加热搅拌并超声一段时间，使溶液均匀；将形状记忆材料溶解于溶剂C中，加热搅拌并超声一段时间，使溶液均匀；将自修复材料溶液和形状记忆材料溶液以一定的比例共混并超声均匀，滴涂或旋涂在导电膜上；放置在真空干燥箱中先在70‑80℃下加热一段时间，后抽真空24h得到复合膜，即基于形状记忆的自修复型导电传感高分子材料；所述溶剂A包括乙醇和水；所述溶剂B和溶剂C是N,N‑二甲基乙酰胺、N,N二甲基甲酰胺和四氢呋喃中的任意一种；导电材料为银纳米线、碳纳米管、氧化石墨烯和纳米银颗粒中的任意一种；所述的自修复材料为聚已内酯；所述形状记忆材料为弹性环氧高分子、形状记忆聚氨酯(SMPU)或者弹性的硅氧烷高分子中的任意一种。